Продукция
частица памяти SAMSUNG-K4B4G1646Q-HYK0
Основной блок Модель K4B4G1646Q-HYK0 Серия SAMSUNG DDR3 Частицы памяти SAMSUNG DDR3 Программное о...
частица памяти SK Hynix（H9HCNNNBKMMLHR-NME）
Основной блок Модель H9HCNNNBKMMLHR-NME Серия SK Hynix LPDDR4X Частицы памяти Hynix LPDDR4X Прогр...
частица памяти SAMSUNG-KLM8G1GETF-B041
Основной блок Модель KLM8G1GETF-B041 Серия SAMSUNG EMMC 5.1 Частицы памяти SAMSUNG EMMC5.1 Програ...
частица памяти SK Hynix(H9HCNNNCPUMLHR-NME)
Основной блок Модель H9HCNNNCPUMLHR-NME Серия SK Hynix LPDDR5 Частицы памяти Hynix LPDDR5 Програм...
частица памяти SAMSUNG-KLMBG2JETD-B041
Основной блок Модель KLMBG2JETD-B041 Серия SAMSUNG EMMC 5.1 Частицы памяти SAMSUNG EMMC 5.1 Прогр...
частица памяти Micron（MT41K256M16HA-107E）D9PZC
Основной блок Модель (MT41K256M16HA-107E) D9PZC Серия микронная DDR3 Частицы памяти Micron DDR3 П...
частица памяти SanDisk（SDIN9DS2-16G）
Основной блок Модель SDIN9DS2-16G Серия SanDisk EMMC версии 5.0 Частицы памяти SanDisk EMMC 5.0 П...
DG332J-THR-5.0
Штыревой разъем, номинальный ток: 12 А, номинальное напряжение (III/2): 250 В, шаг штырей: 5,0 мм...
2EDGRMG-5.08
Разъемный соединитель, Номинальный ток: 20 А. Номинальное напряжение (III/2): 320 В, Расст...
5EDGB-7.62
Разъемный соединитель, Номинальный ток: 41 А, Номинальное напряжение (III/2): 800 В, Расстояние м...
5EDGBM-7.62
Разъемный соединитель, Номинальный ток: 41 А, Номинальное напряжение (III/2): 800 В, Расстояние м...
15EDGRMG-3.5
Разъемный соединитель, Номинальный ток: 7 А. Номинальное напряжение (II/2): 250 В, Расстояние меж...
Продукция
ООО "DLX Technolody" является профессиональным компонентов промышленности услуг компании, основной бизнес: Разъем агентов ,серверные аксессуары ,Точечная инвентаризация,Чип ,Промышленный заказ ,Производство PCBA.Будем рады сотрудничеству с Вами!
